igbt工作原理

日期：2025-07-01 16:06

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摘要：

igbt工作原理
動(dòng)態(tài)特性

　　動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性，igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。

　　igbt的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。igbt處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：

　　Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

　　式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

　　通態(tài)電流Ids 可用下式表示：

　　Ids=(1+Bpnp)Imos

　　式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。

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